SiLM6201是一款集(jí)成了功(gōng)率MOS对(duì)管的推挽电(diàn)源控制器。内部功率MOS管的驱动对称程度高,从而减小推(tuī)挽拓扑的(de)偏磁程度(dù)。
该芯片还集成了(le)三项提高可靠性的关键技术,第一是软启动功能,避(bì)免开机(jī)时(shí)大电流的冲击而损坏器件,并且保证在CC负(fù)载模式(shì)下带满载正(zhèng)常启(qǐ)动;第二是(shì)集(jí)成了输出短路(lù)保(bǎo)护,该保护一致性好,不受电(diàn)源加工时(shí)参数偏(piān)差的(de)影响,也不受高(gāo)低温测试条件的影响;第三(sān)是过温保护(hù),超出规定的温度范围时,芯片自(zì)动进(jìn)入休(xiū)眠(mián)状态(tài),若温度(dù)再次降(jiàng)低到设定(dìng)值时可自动恢复。
输(shū)入引脚耐压高达25V
内置(zhì)功率MOS对管
MOS驱动高度对(duì)称
内置软启动(dòng)
输出短路保护(hù)
过温保护(hù)
400 080 9938