SiLM27517H 系（xì）列是（shì）单通道高欠压保（bǎo）护低边门极驱动器（qì），可（kě）有（yǒu）效驱（qū）动MOSFET和IGBT等功率开关。SiLM27517H 采（cǎi）用一种能够从内部（bù）极大的（de）降低直通（tōng）电流（liú）的设计，将高峰值的（de）源电流（liú）和灌（guàn）电（diàn）流脉冲提供给（gěi）电容负载，以实现轨到轨（guǐ）的驱（qū）动能力（lì）和（hé）典（diǎn）型值仅为 18ns 的极小传播延（yán）迟。

SiLM27517H 在 15V 的（de） VDD 供电（diàn）情况下，能（néng）够提（tí）供（gòng） 4A 的峰值源（yuán）电流和 5A 的峰值（zhí）灌电流（liú）。SiLM27517H 欠压锁定（dìng）保（bǎo）护 (UVLO)12.5/11.5V。