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SLM2106B

600V, 450mA/950mA 高低边驱（qū）动

样（yàng）片申请

SLM2106B Datasheet

产品（pǐn）概述

产品特性

安（ān）规认证（zhèng）

典型应用（yòng）图

产（chǎn）品概（gài）述

SLM2106B是（shì）一款（kuǎn）高（gāo）压、高（gāo）速的功率MOSFET和IGBT驱（qū）动器，它提供（gòng）独立的高边、低边输（shū）出（chū）驱（qū）动信号。采用专有（yǒu）的（de）高压（yā）集（jí）成电路和锁存免疫CMOS技术，提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出（chū）兼容，最（zuì）低支持3.3V逻辑。输出（chū）驱动（dòng）器具（jù）有（yǒu）高脉冲电（diàn）流缓（huǎn）冲（chōng）级，以减小驱动器交（jiāo）叉导通。浮（fú）动通道可（kě）用于驱动高边配置（zhì）的N型（xíng）沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达600V。

产（chǎn）品特性

为自举供电设计的浮（fú）动通（tōng）道

全（quán）电压范（fàn）围（wéi）运行达600V

允许瞬态负电压（yā），不受dV/dt影响

驱动电源范围从10V到20V

欠压闭锁

3.3V，5V和15V逻辑兼容

两通道间（jiān）匹配传输（shū）延时

典型开通/关（guān）断延时：160ns/220ns

典型驱动（dòng）电流：450mA/950mA

输入输（shū）出（chū）同相

SOP8封装